1. NTP60N06L
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NTP60N06L 

产品描述

MOSFET 60V 60A N-Channel

内部编号

277-NTP60N06L

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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#2

数量:99
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NTP60N06L产品详细规格

规格书 NTP60N06L datasheet 规格书
NTB,NTP60N06L
文档 Multiple Devices 30/Jun/2006
产品更改通知 Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 60A
Rds(最大)@ ID,VGS 16 mOhm @ 30A, 5V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 65nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 3075pF @ 25V
功率 - 最大 2.4W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube;;其他的名称;
产品种类 MOSFET
RoHS No
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 60 V
源极击穿电压 +/- 15 V
连续漏极电流 60 A
抗漏源极RDS ( ON) 0.016 Ohms
配置 Single
最高工作温度 + 175 C
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-220AB
封装 Tube
下降时间 237 ns
正向跨导gFS (最大值/最小值) 48 S
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 150 W
上升时间 576 ns
工厂包装数量 50
典型关闭延迟时间 100 ns
寿命 Obsolete
最大门源电压 ±15
最大漏源电压 60
最高工作温度 175
通道模式 Enhancement
标准包装名称 TO-220
最低工作温度 -55
渠道类型 N
最大漏源电阻 16@5V
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-220AB
最大功率耗散 150000
最大连续漏极电流 60
引脚数 3
铅形状 Through Hole
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 60A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 250µA
供应商设备封装 TO-220AB
其他名称 NTP60N06LOS
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 16 mOhm @ 30A, 5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.4W
标准包装 50
漏极至源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss ) @ VDS 3075pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 65nC @ 5V
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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